Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF

IRF7341.pdf
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 4,7 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
  • 173 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Інші пропозиції IRF7341TRPBF за ціною від 20.01 грн до 118.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 38980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.74 грн
8000+23.92 грн
12000+22.99 грн
20000+20.59 грн
28000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.79 грн
8000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.90 грн
8000+34.92 грн
12000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.90 грн
8000+34.92 грн
12000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.93 грн
8000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.75 грн
162+87.65 грн
250+84.13 грн
500+78.20 грн
1000+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 39558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+63.79 грн
100+42.11 грн
500+30.78 грн
1000+27.96 грн
2000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.28 грн
173+82.12 грн
247+57.49 грн
500+44.10 грн
1000+37.12 грн
2000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 38980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.74 грн
8000+23.92 грн
12000+22.99 грн
20000+20.59 грн
28000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+37.79 грн
8000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+37.90 грн
8000+34.92 грн
12000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+37.90 грн
8000+34.92 грн
12000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+37.93 грн
8000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.75 грн
162+87.65 грн
250+84.13 грн
500+78.20 грн
1000+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 39558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+63.79 грн
100+42.11 грн
500+30.78 грн
1000+27.96 грн
2000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.28 грн
173+82.12 грн
247+57.49 грн
500+44.10 грн
1000+37.12 грн
2000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 3,4 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 190 шт
  • 157 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Код товару: 126054
Додати до обраних Обраний товар
msr_v23061-datasheet.pdf
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+122.00 грн
10+115.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 180530
2 Додати до обраних Обраний товар
leaguer-rts_series-datasheet.pdf
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Leaguer
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 50 V
Серія: RTZ
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 8x12 mm
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 416 шт
  • 371 шт - склад
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Код товару: 26311
Додати до обраних Обраний товар
Datasheet-T491D226K035AT.pdf
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номінальна напруга: 35 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532210000
у наявності: 1262 шт
  • 1182 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Код товару: 176732
19 Додати до обраних Обраний товар
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Відсмоктувач припою
Опис: Відсмоктувач припою із жалом для нагріву та подальшого видалення припою.
220 V
30 W
у наявності: 130 шт
  • 105 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 240 шт
  • 120 шт - очікується 07.08.2026
  • 120 шт - очікується 07.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.