IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 216 шт
- 121 шт - склад
- 64 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7341TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transist
Інші пропозиції IRF7341TRPBF за ціною від 24.77 грн до 95.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.48 грн |
| 8000+ | 26.17 грн |
| 12000+ | 25.68 грн |
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.48 грн |
| 8000+ | 26.17 грн |
| 12000+ | 25.68 грн |
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.65 грн |
| 10+ | 51.04 грн |
| 50+ | 37.77 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.34 грн |
| 162+ | 87.26 грн |
| 250+ | 83.76 грн |
| 500+ | 77.86 грн |
| 1000+ | 69.74 грн |
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.42 грн |
| 12+ | 64.92 грн |
| 100+ | 44.60 грн |
| 500+ | 33.84 грн |
| 1000+ | 28.36 грн |
| 2000+ | 24.77 грн |
| IRF7341TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 148+ | 95.99 грн |
| 217+ | 65.31 грн |
| 315+ | 44.88 грн |
| 500+ | 34.04 грн |
| 1000+ | 28.53 грн |
| 2000+ | 24.93 грн |
З цим товаром купують
| IRF7342TRPBF Код товару: 31772
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 140 шт
- 107 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.00 грн |
| 100+ | 24.30 грн |
| Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0) Код товару: 126054
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
у наявності: 47 шт
- 30 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 180.00 грн |
| 10+ | 166.00 грн |
| 100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 180530
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Leaguer
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: RTZ
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: RTZ
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 410 шт
- 315 шт - склад
- 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 800 шт
- 800 шт - очікується
на замовлення: 45 шт
- 45 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.80 грн |
| 100+ | 2.50 грн |
| 22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet) Код товару: 26311
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 26.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 19.00 грн |
| 10+ | 17.20 грн |
| 100+ | 15.50 грн |
| Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W Код товару: 176732
21
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Відсмоктувач припою
Опис: Відсмоктувач припою із жалом для нагріву та подальшого видалення припою.
220 V
30 W
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Відсмоктувач припою
Опис: Відсмоктувач припою із жалом для нагріву та подальшого видалення припою.
220 V
30 W
у наявності: 78 шт
- 72 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 375 шт
- 120 шт - очікується 07.10.2026
- 120 шт - очікується 02.12.2026
- 120 шт - очікується 05.02.2027
- 15 шт - очікується
на замовлення: 83 шт
- 83 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 350.00 грн |















