Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF

IRF7341.pdf
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 212 шт
  • 117 шт - склад
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Інші пропозиції IRF7341TRPBF за ціною від 21.62 грн до 100.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.28 грн
12000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.49 грн
10+52.27 грн
50+38.68 грн
100+32.18 грн
500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRPBF Infineon Technologies irf7341.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.28 грн
12000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
418+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description infineon-irf7341-datasheet-en.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.49 грн
10+52.27 грн
50+38.68 грн
100+32.18 грн
500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF description irf7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 690/26
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 137 шт
  • 107 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Код товару: 126054
Додати до обраних Обраний товар
msr_v23061-datasheet.pdf
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)Реле V23061-A1005-A302 (2-1393222-0)
Виробник: TE Connectivity
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Габарити: 28,6x10x15 мм
Напруга котушки: 12 VDC
Струм макс.: 8 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1C)
Напруга перемикання: 240 VAC; 30 VDC
у наявності: 39 шт
  • 22 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 180530
2 Додати до обраних Обраний товар
leaguer-rts_series-datasheet.pdf
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 50V RTZ 8x12mm (low esr) (RTZ1H101M0812-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Leaguer
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: RTZ
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 946 шт
  • 810 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+3.70 грн
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Код товару: 26311
Додати до обраних Обраний товар
Datasheet-T491D226K035AT.pdf
22uF 35V size-D 10% (T491D226K035AT – Kemet)
Виробник: Kemet
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-D
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
у наявності: 942 шт
  • 942 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Код товару: 176732
21 Додати до обраних Обраний товар
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Відсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30WВідсмоктувач припою з нагрівачем YIHUA 929D-V 30W
Виробник: YiHUA
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Відсмоктувач припою
Опис: Відсмоктувач припою із жалом для нагріву та подальшого видалення припою.
220 V
30 W
у наявності: 254 шт
  • 247 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 120 шт
  • 120 шт - очікується 05.02.2027
на замовлення: 49 шт
  • 49 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.