IRF740
Код товару: 18286
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF740 за ціною від 29.66 грн до 53.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF740 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF740 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF740 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF740 | Виробник : STM |
(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRF740 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF740 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF740 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 400 Volt 10 Amp |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF740 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7 |
товару немає в наявності |