
IRF740ALPBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 123.79 грн |
10+ | 103.46 грн |
11+ | 84.30 грн |
30+ | 79.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740ALPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740ALPBF за ціною від 90.49 грн до 256.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |