Інші пропозиції IRF740ALPBF за ціною від 84.10 грн до 280.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF740ALPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 963 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |