Інші пропозиції IRF740ALPBF за ціною від 84.64 грн до 282.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 963 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 194.61 грн |
| 10+ | 111.79 грн |
| 50+ | 90.78 грн |
| 100+ | 85.73 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 203.74 грн |
| 86+ | 166.70 грн |
| 100+ | 156.11 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.45 грн |
| 50+ | 131.28 грн |
| 100+ | 118.89 грн |
| 500+ | 91.19 грн |
| 1000+ | 84.64 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.69 грн |
| 10+ | 141.33 грн |
| 100+ | 105.44 грн |
| 500+ | 91.47 грн |
| 1000+ | 87.28 грн |
З цим товаром купують
| 100nF 63V 5% (MKS2-100N/63-5%-A) WIMA Код товару: 220109
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 560 шт
- 560 шт - склад
| CD74HC4060E Код товару: 219829
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 0,1Ohm 1W (OAR1R100FLF) TT ELECTRONICS Код товару: 219828
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| B72214S0271K101 Код товару: 183813
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TRIMMER 4,7KOHM 0,5W PC PIN (3296W-1-472LF) Код товару: 84998
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






