IRF740ASPBF


VISH_S_A0010924993_1-2571275.pdf
Код товару: 172391
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-263
товару немає в наявності

КількістьЦіна
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF740ASPBF за ціною від 66.69 грн до 278.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.43 грн
127+111.90 грн
500+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.87 грн
10+119.04 грн
100+111.53 грн
500+92.05 грн
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.89 грн
86+165.77 грн
110+129.65 грн
250+120.18 грн
1000+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+202.76 грн
5+142.05 грн
10+120.19 грн
25+96.66 грн
50+85.73 грн
100+77.33 грн
250+72.28 грн
1000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.51 грн
10+99.39 грн
100+90.43 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.58 грн
10+110.82 грн
100+81.70 грн
500+71.92 грн
1000+70.53 грн
2000+67.24 грн
5000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.38 грн
10+139.26 грн
100+127.83 грн
500+101.09 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+257.38 грн
102+139.26 грн
111+127.83 грн
500+101.09 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.09 грн
50+136.18 грн
100+123.40 грн
500+94.80 грн
1000+88.05 грн
2000+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
119+119.43 грн
127+111.90 грн
500+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+181.87 грн
10+119.04 грн
100+111.53 грн
500+92.05 грн
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+189.89 грн
86+165.77 грн
110+129.65 грн
250+120.18 грн
1000+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+202.76 грн
5+142.05 грн
10+120.19 грн
25+96.66 грн
50+85.73 грн
100+77.33 грн
250+72.28 грн
1000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.51 грн
10+99.39 грн
100+90.43 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+243.58 грн
10+110.82 грн
100+81.70 грн
500+71.92 грн
1000+70.53 грн
2000+67.24 грн
5000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+257.38 грн
10+139.26 грн
100+127.83 грн
500+101.09 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+257.38 грн
102+139.26 грн
111+127.83 грн
500+101.09 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+278.09 грн
50+136.18 грн
100+123.40 грн
500+94.80 грн
1000+88.05 грн
2000+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.