
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 51.43 грн |
25+ | 50.45 грн |
50+ | 45.99 грн |
100+ | 41.19 грн |
500+ | 36.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740BPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF740BPBF за ціною від 55.18 грн до 153.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Kind of package: tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF Код товару: 100642
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF740BPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |