на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.88 грн |
| 10+ | 98.99 грн |
| 100+ | 67.31 грн |
| 500+ | 57.09 грн |
| 1000+ | 46.42 грн |
| 2000+ | 43.70 грн |
| 5000+ | 41.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740HPBF Vishay
Description: HV POWER MOSFET 400 V (D-S) 150, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740HPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF740HPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: HV POWER MOSFET 400 V (D-S) 150Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |