
IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.87 грн |
50+ | 110.41 грн |
100+ | 108.61 грн |
500+ | 98.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740LCPBF-BE3 за ціною від 98.34 грн до 273.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740LCPBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |