на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 47.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740PBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740PBF-BE3 за ціною від 50.62 грн до 251.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF740PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF740PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF740PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 702 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF740PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF740PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF740PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF740PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF740PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
IRF740PBF-BE3 |
товару немає в наявності |