IRF740PBF Китай
Код товару: 181684
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Китай
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF740PBF Китай
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740PBF Код товару: 162988
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 400 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 Монтаж: THT |
у наявності: 711 шт
|
|
| IRF740PBF Код товару: 162988
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 711 шт
- 673 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
Інші пропозиції IRF740PBF за ціною від 49.44 грн до 234.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 4459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 8260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF740PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 69.59 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 70.38 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 123.35 грн |
| 131+ | 108.68 грн |
| 500+ | 89.21 грн |
| 1000+ | 79.23 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 144.21 грн |
| 102+ | 140.24 грн |
| 111+ | 128.33 грн |
| 250+ | 110.99 грн |
| 500+ | 95.68 грн |
| 1000+ | 85.05 грн |
| 2000+ | 78.25 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 149.35 грн |
| 10+ | 91.62 грн |
| 40+ | 79.01 грн |
| 50+ | 77.33 грн |
| 100+ | 70.60 грн |
| 250+ | 63.04 грн |
| 500+ | 58.84 грн |
| 1000+ | 53.79 грн |
| 2000+ | 50.43 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 151.68 грн |
| 100+ | 144.90 грн |
| 250+ | 139.09 грн |
| 500+ | 129.28 грн |
| 1000+ | 115.80 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 188.19 грн |
| 10+ | 94.50 грн |
| 100+ | 81.47 грн |
| 500+ | 64.22 грн |
| 1000+ | 54.54 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.26 грн |
| 10+ | 97.17 грн |
| 100+ | 72.62 грн |
| 500+ | 63.68 грн |
| 1000+ | 55.86 грн |
| 2000+ | 53.56 грн |
| 5000+ | 49.44 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.24 грн |
| 50+ | 108.52 грн |
| 100+ | 97.95 грн |
| 500+ | 74.51 грн |
| 1000+ | 68.91 грн |
| 2000+ | 64.21 грн |
| 5000+ | 58.26 грн |







