IRF740SPBF Siliconix
Код товару: 154285
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 77.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF740SPBF за ціною від 57.00 грн до 282.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740SPBF Код товару: 32580
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, V: 400 V Струм стоку Idd, A: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/35 Монтаж: SMD |
у наявності: 3 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF740SPBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF740SPBF Код товару: 32580
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 3 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 62.00 грн |
| 10+ | 57.00 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 140.62 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 179.25 грн |
| 86+ | 165.17 грн |
| 100+ | 153.16 грн |
| 500+ | 111.92 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 179.66 грн |
| 50+ | 165.54 грн |
| 100+ | 153.51 грн |
| 500+ | 112.17 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.85 грн |
| 10+ | 156.83 грн |
| 25+ | 132.51 грн |
| 50+ | 116.57 грн |
| 100+ | 105.67 грн |
| 150+ | 99.80 грн |
| 250+ | 93.93 грн |
| 500+ | 88.06 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 270.42 грн |
| 50+ | 132.03 грн |
| 100+ | 119.57 грн |
| 500+ | 91.71 грн |
| 1000+ | 85.13 грн |
| 2000+ | 79.60 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 273.93 грн |
| 10+ | 149.56 грн |
| 25+ | 140.62 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 282.49 грн |
| 60+ | 237.61 грн |
| 68+ | 209.89 грн |
| 100+ | 182.03 грн |
| 150+ | 159.11 грн |
| 250+ | 143.70 грн |
| 500+ | 134.65 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 81.96 грн |
| 100+ | 70.26 грн |
З цим товаром купують
| NE555D Код товару: 153317
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SO-8
Опис: Таймер; 1 вихід; 4.5...16В
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SO-8
Опис: Таймер; 1 вихід; 4.5...16В
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 427 шт
- 310 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 96 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.70 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2069
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 5009 шт
- 4017 шт - склад
- 992 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 22uF 25V ECR 5x11mm (ECR220M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1926
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°C
Габарити: 5x11 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін. напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°C
Габарити: 5x11 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 5129 шт
- 4884 шт - склад
- 192 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 68,1 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-68R1-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1801
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 68,1 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 68,1 Ohm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 1800 шт
- 1800 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1743
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 36 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 36 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |











