IRF740SPBF
Код товару: 32580
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF740SPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740SPBF Код товару: 154285
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 400 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 23 шт
|
|
| IRF740SPBF Код товару: 154285
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
- 22 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 77.50 грн |
Інші пропозиції IRF740SPBF за ціною від 70.26 грн до 280.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF740SPBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 108.90 грн |
| 136+ | 103.68 грн |
| 139+ | 101.45 грн |
| 500+ | 85.03 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 109.30 грн |
| 50+ | 104.06 грн |
| 100+ | 101.82 грн |
| 500+ | 85.35 грн |
| 1000+ | 76.48 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.47 грн |
| 10+ | 154.01 грн |
| 25+ | 130.13 грн |
| 50+ | 114.48 грн |
| 100+ | 103.77 грн |
| 150+ | 98.01 грн |
| 250+ | 92.24 грн |
| 500+ | 86.48 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.71 грн |
| 50+ | 132.65 грн |
| 100+ | 120.13 грн |
| 500+ | 92.15 грн |
| 1000+ | 85.53 грн |
| 2000+ | 79.97 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 280.61 грн |
| 60+ | 236.02 грн |
| 68+ | 208.49 грн |
| 100+ | 182.08 грн |
| 150+ | 159.22 грн |
| 250+ | 143.86 грн |
| 500+ | 134.87 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 81.96 грн |
| 100+ | 70.26 грн |
З цим товаром купують
| SND0504-221M (220uH, ±20%, 0.35A, 1.57 Ohm, SMD: 5.8x5.2mm, h=4.5mm) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39209
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна на феритовій гантелі, 220uH, ±20%, Idc=0.35A, Rdc=1.57 Ohm, SMD: 5.8x5.2mm, h=4.5mm
Тип: SND0504
Габарити: 5,8x5,2 мм, h=4,5 мм
Робочий струм, А: 0,35 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна на феритовій гантелі, 220uH, ±20%, Idc=0.35A, Rdc=1.57 Ohm, SMD: 5.8x5.2mm, h=4.5mm
Тип: SND0504
Габарити: 5,8x5,2 мм, h=4,5 мм
Робочий струм, А: 0,35 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 323 шт
- 144 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 114 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1500 шт
- 1500 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.40 грн |
| 100+ | 5.80 грн |
| 1000+ | 5.00 грн |
| SSB0503-471M (470uH, ±20%, 0.12A, 4.5 Ohm, SMD: 5.3x5.3mm, h=3mm; у броньованому осерді) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39194
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 470 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 470uH, ±20%, Idc=0.12A, Rdc=4.5 Ohm, SMD: 5.3x5.3mm, h=3.0mm
Тип: SSB0503
Габарити: 5,3x5,3 мм, h=3,0 мм
Робочий струм, А: 0,12 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 470 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 470uH, ±20%, Idc=0.12A, Rdc=4.5 Ohm, SMD: 5.3x5.3mm, h=3.0mm
Тип: SSB0503
Габарити: 5,3x5,3 мм, h=3,0 мм
Робочий струм, А: 0,12 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 2882 шт
- 2742 шт - склад
- 66 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.60 грн |
| 100+ | 10.90 грн |
| 1000+ | 9.60 грн |
| 49,9 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-49R9-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27783
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 49,9 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 49,9 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 13503 шт
- 13500 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 470uH ±10% аксіальний дросель 126mA 7,7Ohm (KLS18-EC36-471K-A – KLS) Код товару: 25587
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Індуктивності, дроселі > Індуктивності малопотужні вивідні
Номінал: 470 мкГн
Точність: ±10%
Характеристики: аксіальні, I=0.126 A, R=7.7 Ohm, Q=60@f=0.796MHz, SRF=2.25MHz,-20...+100°C
Габарити: 4,0x10мм (DxL), d виводів=0,65мм
Індуктивності, дроселі > Індуктивності малопотужні вивідні
Номінал: 470 мкГн
Точність: ±10%
Характеристики: аксіальні, I=0.126 A, R=7.7 Ohm, Q=60@f=0.796MHz, SRF=2.25MHz,-20...+100°C
Габарити: 4,0x10мм (DxL), d виводів=0,65мм
у наявності: 3671 шт
- 3368 шт - склад
- 101 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 94 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.80 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 51 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-51R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 19311
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 21 шт
- 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 0.95 грн |
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |












