IRF740STRLPBF Vishay Siliconix


sihf740s.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+96.76 грн
1600+86.91 грн
2400+83.73 грн
4000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF740STRLPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.

Інші пропозиції IRF740STRLPBF за ціною від 71.19 грн до 271.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.50 грн
1600+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.82 грн
1600+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.40 грн
1600+115.23 грн
2400+111.77 грн
4000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay sihf740s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.40 грн
1600+115.23 грн
2400+111.77 грн
4000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.87 грн
10+159.53 грн
100+117.59 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Semiconductors sihf740s.pdf MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+104.31 грн
500+76.12 грн
800+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.97 грн
10+171.34 грн
100+120.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+101.50 грн
1600+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+101.82 грн
1600+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+116.40 грн
1600+115.23 грн
2400+111.77 грн
4000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+116.40 грн
1600+115.23 грн
2400+111.77 грн
4000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+117.59 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+245.87 грн
10+159.53 грн
100+117.59 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+104.31 грн
500+76.12 грн
800+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+271.97 грн
10+171.34 грн
100+120.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.