Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7413PBF
IRF7413PBF

IRF7413PBF

irf7413pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa8e901bb8
Код товару: 40660
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/52
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 44 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+49.5 грн
10+ 46.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:12A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:b
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:58A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7413
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7413PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7413(PBF) Виробник : IR SOP8
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7413PBF IRF7413PBF Виробник : Infineon Technologies irf7413pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa8e901bb8 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7413PBF IRF7413PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7413_DataSheet_v01_01_EN-3362923.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC
товар відсутній
IRF7413PBF IRF7413PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7413.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625		 irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
IRF7413ZTR
Код товару: 122875		 irf7413zpbf-937492-datasheet.pdf
IRF7413ZTR
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 179 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
100+ 13.1 грн
IRFZ24NPBF
Код товару: 4381		 description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 1031 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12.2 грн
1000+ 10.9 грн
L-53P3C
Код товару: 32244		 Scans-0095788.pdf
L-53P3C
Виробник: Kingbright
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Vceo,V: 30 V
Спектр_пік.,nm: 940 nm
Ic,mA: 12 mA
Ton/Tof,µc : 3/3 µc
Додатково: Фототранзистор, прозора лінза, 5 мм
Тип: Фототранзистор
у наявності: 126 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
MMBT3906
Код товару: 160583		 mmbt3906-sot23.pdf
MMBT3906
Виробник: Yangjie/Hottech
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 250 MHz
Uке, В: 40 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 0,2 A
h21,max: 300
у наявності: 1838 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 0.8 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 4