IRF7420TRPBF
Код товару: 195254
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 9,8 A
Rds(on),Om: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності 198 шт:
159 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38 грн |
| 10+ | 33.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF7420TRPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7420 Код товару: 22021 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 11,5 A Rds(on),Om: 0,026 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38 Монтаж: SMD |
у наявності: 22 шт
|
|
Інші пропозиції IRF7420TRPBF за ціною від 49.18 грн до 78.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRF7420TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF7420TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -11.5A Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF7420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF7420TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: SO8 Drain-source voltage: -12V Drain current: -11.5A Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |