IRF7507TR

Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	49.51 грн
10+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7507TR IR

Description: MOSFET N/P-CH 20V MICRO8, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7507TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRF7507TR			на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7507TR		MSOP8	на замовлення 953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7507TR	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Obsolete	товар відсутній