Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8010PBF
IRF8010PBF

IRF8010PBF

irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
Код товару: 25040
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,015 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF8010PBF за ціною від 60.19 грн до 232.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+106.15 грн
500+95.53 грн
1000+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.63 грн
135+104.99 грн
500+84.44 грн
1000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.18 грн
5+86.34 грн
10+83.80 грн
50+77.88 грн
100+74.49 грн
250+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
250+163.00 грн
500+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.16 грн
10+112.21 грн
100+101.84 грн
500+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.16 грн
126+112.21 грн
139+101.84 грн
500+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.35 грн
10+115.96 грн
100+104.40 грн
500+80.96 грн
1000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.29 грн
10+115.50 грн
100+103.90 грн
500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.29 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+106.15 грн
500+95.53 грн
1000+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+116.63 грн
135+104.99 грн
500+84.44 грн
1000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.18 грн
5+86.34 грн
10+83.80 грн
50+77.88 грн
100+74.49 грн
250+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
250+163.00 грн
500+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.60 грн
79+180.45 грн
100+174.32 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.16 грн
10+112.21 грн
100+101.84 грн
500+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+207.16 грн
126+112.21 грн
139+101.84 грн
500+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+231.35 грн
10+115.96 грн
100+104.40 грн
500+80.96 грн
1000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+232.29 грн
10+115.50 грн
100+103.90 грн
500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+232.29 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2 kOhm 5W 5% (SQP50JB-2KR)
Код товару: 11216
Додати до обраних Обраний товар
SQP_080911.pdf
2 kOhm 5W 5% (SQP50JB-2KR)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 2 кОм
Потужність: 5 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 750 В
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
у наявності: 571 шт
  • 519 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 28 шт
  • 28 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2947
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x41 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2427
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 06.10.2026
на замовлення: 490 шт
  • 490 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.00 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2104
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,1 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 91369 шт
  • 75590 шт - склад
  • 1670 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6420 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5600 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2089 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1443
Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9771 шт
  • 9064 шт - склад
  • 169 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 192 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 246 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 396 шт
  • 396 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.