Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8010PBF
IRF8010PBF

IRF8010PBF

irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
Код товару: 25040
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF8010PBF за ціною від 65.43 грн до 241.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.03 грн
5+85.73 грн
10+83.21 грн
50+77.33 грн
100+73.97 грн
250+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
250+163.72 грн
500+147.47 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.81 грн
10+127.09 грн
100+111.61 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.62 грн
10+150.16 грн
100+90.08 грн
500+75.41 грн
1000+69.69 грн
2000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47 description Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+115.19 грн
100+103.79 грн
500+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+162.03 грн
5+85.73 грн
10+83.21 грн
50+77.33 грн
100+73.97 грн
250+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
250+163.72 грн
500+147.47 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+233.81 грн
10+127.09 грн
100+111.61 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+234.62 грн
10+150.16 грн
100+90.08 грн
500+75.41 грн
1000+69.69 грн
2000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.95 грн
50+115.19 грн
100+103.79 грн
500+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TLP250[F]
Код товару: 28540
2 Додати до обраних Обраний товар
TLP250[F]
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - склад
КількістьЦіна
1+66.00 грн
10+61.50 грн
100+56.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8578 шт
  • 8078 шт - склад
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
КількістьЦіна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2947
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 18х41mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 80 шт
  • 15 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2427
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.00 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2104
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,1 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 88679 шт
  • 67700 шт - склад
  • 1670 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11420 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5800 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2089 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.