Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8010PBF
IRF8010PBF

IRF8010PBF

irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
Код товару: 25040
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,015 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF8010PBF за ціною від 67.48 грн до 232.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+111.58 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.01 грн
121+116.27 грн
500+111.69 грн
1000+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+136.98 грн
500+122.93 грн
1000+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.76 грн
5+84.01 грн
10+81.53 грн
50+75.77 грн
100+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.76 грн
79+179.64 грн
100+173.54 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.76 грн
79+179.64 грн
100+173.54 грн
250+162.27 грн
500+146.16 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.40 грн
10+121.63 грн
50+120.41 грн
100+106.75 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.40 грн
116+121.63 грн
117+120.41 грн
127+106.75 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47 description Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.06 грн
50+98.85 грн
100+89.07 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.32 грн
10+129.31 грн
100+116.53 грн
500+107.94 грн
1000+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
577+111.58 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+129.01 грн
121+116.27 грн
500+111.69 грн
1000+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
257+136.98 грн
500+122.93 грн
1000+113.69 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.76 грн
5+84.01 грн
10+81.53 грн
50+75.77 грн
100+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.76 грн
79+179.64 грн
100+173.54 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.76 грн
79+179.64 грн
100+173.54 грн
250+162.27 грн
500+146.16 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+202.40 грн
10+121.63 грн
50+120.41 грн
100+106.75 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+202.40 грн
116+121.63 грн
117+120.41 грн
127+106.75 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.06 грн
50+98.85 грн
100+89.07 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+232.32 грн
10+129.31 грн
100+116.53 грн
500+107.94 грн
1000+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description infineonirf8010datasheetv0101en.pdf
IRF8010PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TLP250[F]
Код товару: 28540
2 Додати до обраних Обраний товар
TLP250[F]
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 20/1500 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Робоча температура, °С: -20…+85°С
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+66.00 грн
10+61.50 грн
100+56.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8788 шт
  • 7848 шт - склад
  • 440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2947
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 18x41 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 76 шт
  • 11 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2427
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 06.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.00 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2104
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,1 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 88479 шт
  • 67700 шт - склад
  • 1670 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11420 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5600 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2089 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.