Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8010PBF
IRF8010PBF

IRF8010PBF

irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47
Код товару: 25040
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8010PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.57`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm
  • Power Dissipation:260W
  • Power Dissipation Pd:260W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF8010PBF за ціною від 54.19 грн до 187.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.37 грн
2000+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.04 грн
2000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+92.84 грн
149+87.47 грн
500+84.24 грн
1000+62.39 грн
2000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8010_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.01 грн
10+72.90 грн
100+59.67 грн
500+59.18 грн
1000+57.21 грн
2000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.30 грн
10+82.72 грн
100+77.72 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+117.73 грн
116+112.47 грн
250+107.95 грн
500+100.34 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+126.70 грн
500+113.70 грн
1000+105.16 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.41 грн
10+97.67 грн
100+92.02 грн
500+85.45 грн
1000+60.76 грн
2000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+172.83 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+186.06 грн
73+178.97 грн
100+172.90 грн
250+161.66 грн
500+145.62 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies irf8010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cce1f1d47 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.17 грн
50+88.96 грн
100+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TLP250[F]
Код товару: 28540
Додати до обраних Обраний товар

TLP250[F]
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
у наявності: 91 шт
91 шт - склад
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+61.50 грн
100+56.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 11065
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 9920 шт
9920 шт - склад
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2947
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 18х41mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 127 шт
58 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2427
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 357 шт
153 шт - склад
109 шт - РАДІОМАГ-Київ
36 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.00 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2104
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
9,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-9R1-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,1 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 89179 шт
67900 шт - склад
1970 шт - РАДІОМАГ-Київ
11420 шт - РАДІОМАГ-Львів
5800 шт - РАДІОМАГ-Харків
2089 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.