Продукція > VISHAY > IRF820APBF
IRF820APBF

IRF820APBF VISHAY

IRF820A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.72 грн
10+84.57 грн
50+48.09 грн
100+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRF820APBF за ціною від 47.22 грн до 173.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF820APBF IRF820APBF Vishay 91057.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.40 грн
120+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay 91057.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.67 грн
50+119.11 грн
100+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay 91057.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+157.09 грн
158+89.76 грн
165+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay Siliconix 91057.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.58 грн
50+81.84 грн
100+73.52 грн
500+55.31 грн
1000+50.92 грн
2000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay Semiconductors 91057.pdf description MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY 91057.pdf description Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+120.40 грн
120+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.67 грн
50+119.11 грн
100+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+157.09 грн
158+89.76 грн
165+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.58 грн
50+81.84 грн
100+73.52 грн
500+55.31 грн
1000+50.92 грн
2000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.