| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 111.36 грн |
| 50+ | 110.24 грн |
| 100+ | 78.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF820APBF за ціною від 45.93 грн до 187.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820APBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 3562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF820APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF820APBF | Виробник : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |