Продукція > VISHAY > IRF820APBF
IRF820APBF

IRF820APBF Vishay

91057.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.29 грн
171+82.95 грн
500+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 120 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820APBF Vishay

Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRF820APBF за ціною від 47.86 грн до 232.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF820APBF IRF820APBF Vishay 91057.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.44 грн
124+115.23 грн
134+106.10 грн
250+91.73 грн
500+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY IRF820A.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.39 грн
10+76.28 грн
50+63.07 грн
100+58.08 грн
250+52.10 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay Siliconix 91057.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+108.67 грн
50+82.62 грн
100+69.66 грн
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay 91057.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.51 грн
10+118.52 грн
100+83.11 грн
500+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Vishay Semiconductors 91057.pdf description MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY VISH-S-A0019267826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+139.44 грн
124+115.23 грн
134+106.10 грн
250+91.73 грн
500+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description IRF820A.pdf
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.39 грн
10+76.28 грн
50+63.07 грн
100+58.08 грн
250+52.10 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.52 грн
10+108.67 грн
50+82.62 грн
100+69.66 грн
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+232.51 грн
10+118.52 грн
100+83.11 грн
500+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
IRF820APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description VISH-S-A0019267826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF820APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.