Продукція > VISHAY > IRF820APBF
IRF820APBF

IRF820APBF Vishay


91057.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820APBF Vishay

Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRF820APBF за ціною від 28.72 грн до 130.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : VISHAY IRF820A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.54 грн
10+46.03 грн
30+30.24 грн
81+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : VISHAY IRF820A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.45 грн
10+57.37 грн
30+36.28 грн
81+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+74.51 грн
204+59.89 грн
214+57.04 грн
500+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+79.79 грн
10+69.00 грн
25+55.46 грн
100+50.93 грн
500+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : Vishay Siliconix 91057.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.75 грн
50+64.07 грн
100+61.66 грн
500+48.31 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.29 грн
10+87.92 грн
100+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91057.pdf MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.38 грн
10+76.52 грн
100+59.79 грн
500+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF IRF820APBF Виробник : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.