IRF820ASPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 137.59 грн |
| 5+ | 99.01 грн |
| 10+ | 87.41 грн |
| 50+ | 65.90 грн |
| 100+ | 58.92 грн |
| 250+ | 51.44 грн |
| 500+ | 46.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820ASPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF820ASPBF за ціною від 42.25 грн до 167.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF820ASPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF820ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF820ASPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF820ASPBF | IR |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.68 грн |
| 50+ | 74.22 грн |
| 100+ | 66.58 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 160.48 грн |
| 118+ | 120.92 грн |
| 131+ | 108.22 грн |
| 250+ | 90.96 грн |
| 500+ | 76.66 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.00 грн |
| 10+ | 80.14 грн |
| 100+ | 62.43 грн |
| 500+ | 49.65 грн |
| 1000+ | 43.78 грн |
| 2000+ | 42.25 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





