на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 121.12 грн |
| 141+ | 91.30 грн |
| 158+ | 81.72 грн |
| 250+ | 68.70 грн |
| 500+ | 57.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820ASPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF820ASPBF за ціною від 41.02 грн до 173.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820ASPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820ASPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF820ASPBF | Виробник : IR |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF820ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF820ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |