Продукція > VISHAY > IRF820ASPBF
IRF820ASPBF

IRF820ASPBF VISHAY

sihf820a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.38 грн
5+98.87 грн
10+87.28 грн
50+65.80 грн
100+58.83 грн
250+51.36 грн
500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820ASPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF820ASPBF за ціною від 42.25 грн до 155.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF820ASPBF IRF820ASPBF Виробник : Vishay doc91058.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+146.36 грн
117+110.34 грн
131+98.66 грн
250+82.94 грн
500+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf820a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.82 грн
50+70.16 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf820a.pdf MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.37 грн
10+74.49 грн
100+58.01 грн
500+46.37 грн
1000+42.53 грн
2000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF Виробник : IR sihf820a.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF Виробник : Vishay doc91058.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF IRF820ASPBF Виробник : Vishay doc91058.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.