IRF820LPBF Vishay Siliconix


gsd2004w-g.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820LPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF820LPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF820LPBF IRF820LPBF Vishay / BC Components gsd2004w-g.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820LPBF VISHAY gsd2004w-g.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820LPBF gsd2004w-g.pdf
Виробник: Vishay / BC Components
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820LPBF gsd2004w-g.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.