на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 57.83 грн |
| 10+ | 36.26 грн |
| 100+ | 30.24 грн |
| 500+ | 29.18 грн |
| 1000+ | 28.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF820PBF-BE3 за ціною від 40.81 грн до 86.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF820PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.5A, TO-220AB tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF820PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |