на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 22.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF820PBF за ціною від 28.18 грн до 144.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 10069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 6305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF820PBF |
IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 99 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |