Продукція > VISHAY > IRF820PBF
IRF820PBF

IRF820PBF VISHAY

IRF820PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+52.99 грн
11+39.71 грн
50+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції IRF820PBF за ціною від 29.67 грн до 224.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF820PBF IRF820PBF Vishay Semiconductors 91059.pdf MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.44 грн
10+59.82 грн
100+43.21 грн
500+36.16 грн
1000+33.55 грн
2000+31.65 грн
5000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.99 грн
185+76.80 грн
218+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY 91059.pdf Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.88 грн
11+75.08 грн
100+67.76 грн
500+50.01 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.40 грн
50+107.63 грн
100+97.12 грн
500+73.85 грн
1000+68.29 грн
2000+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF IRF820PBF Vishay 91059.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 99 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.44 грн
10+59.82 грн
100+43.21 грн
500+36.16 грн
1000+33.55 грн
2000+31.65 грн
5000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+149.99 грн
185+76.80 грн
218+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.88 грн
11+75.08 грн
100+67.76 грн
500+50.01 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.40 грн
50+107.63 грн
100+97.12 грн
500+73.85 грн
1000+68.29 грн
2000+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 99 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.