| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 295+ | 49.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
295 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRF820PBF за ціною від 30.65 грн до 234.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF820PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 390 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 12708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF820PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 3431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRF820PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF820PBF |
IRF820PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 99 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 82.57 грн |
| 186+ | 78.88 грн |
| 250+ | 73.96 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.95 грн |
| 30+ | 32.43 грн |
| 82+ | 30.65 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.47 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 117.47 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.81 грн |
| 10+ | 88.25 грн |
| 100+ | 56.35 грн |
| 500+ | 47.93 грн |
| 1000+ | 45.97 грн |
| 2000+ | 44.09 грн |
| 10000+ | 42.21 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.26 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 12708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.08 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.88 грн |
| 10+ | 146.56 грн |
| 50+ | 112.51 грн |
| 100+ | 95.27 грн |
| 500+ | 77.19 грн |
| IRF820PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRF820PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)