на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 31.67 грн |
| 2000+ | 31.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830ALPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF830ALPBF за ціною від 33.58 грн до 226.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830ALPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830ALPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 934 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |