Технічний опис IRF830ALPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF830ALPBF за ціною від 38.46 грн до 214.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.61 грн |
| 2000+ | 38.46 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 193.75 грн |
| 5+ | 137.23 грн |
| 10+ | 119.66 грн |
| 50+ | 88.70 грн |
| 100+ | 82.00 грн |
| 250+ | 73.64 грн |
| 500+ | 69.45 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 214.69 грн |
| 89+ | 159.37 грн |
| 100+ | 147.52 грн |
| 250+ | 128.28 грн |
| 500+ | 111.72 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





