на замовлення 48757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 27.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830APBF - MOSFET, N-KANAL, 500V, 5A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF830APBF за ціною від 44.02 грн до 212.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF830APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF830APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF830APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830APBF - MOSFET, N-KANAL, 500V, 5A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF830APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |