| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 132.50 грн |
| 109+ | 131.18 грн |
| 155+ | 91.93 грн |
| 500+ | 69.73 грн |
| 1000+ | 58.87 грн |
| 2000+ | 53.57 грн |
| 5000+ | 51.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830APBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.
Інші пропозиції IRF830APBF за ціною від 42.73 грн до 206.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830APBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 824 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
на замовлення 1548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF830APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 132.84 грн |
| 50+ | 131.52 грн |
| 100+ | 92.16 грн |
| 500+ | 69.90 грн |
| 1000+ | 59.01 грн |
| 2000+ | 53.70 грн |
| 5000+ | 51.95 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 146.64 грн |
| 10+ | 88.42 грн |
| 50+ | 70.60 грн |
| 100+ | 64.05 грн |
| 250+ | 56.40 грн |
| 500+ | 51.19 грн |
| 750+ | 48.41 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.86 грн |
| 10+ | 99.57 грн |
| 100+ | 68.43 грн |
| 500+ | 52.23 грн |
| 10000+ | 51.04 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 161.01 грн |
| 111+ | 128.73 грн |
| 122+ | 116.69 грн |
| 250+ | 99.00 грн |
| 500+ | 83.28 грн |
| 750+ | 75.52 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: VISHAY - IRF830APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 164.56 грн |
| 10+ | 102.65 грн |
| 100+ | 72.50 грн |
| 500+ | 52.42 грн |
| 1000+ | 42.73 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.60 грн |
| 50+ | 98.81 грн |
| 100+ | 89.03 грн |
| 500+ | 67.48 грн |
| 1000+ | 62.31 грн |
| IRF830APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)