на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.75 грн |
| 10+ | 74.61 грн |
| 100+ | 41.61 грн |
| 500+ | 37.28 грн |
| 1000+ | 32.15 грн |
| 2500+ | 30.02 грн |
| 5000+ | 29.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830BPBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IRF830BPBF-BE3 за ціною від 120.67 грн до 120.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF830BPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRF830BPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |