на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 63.74 грн |
| 100+ | 56.33 грн |
| 500+ | 51.64 грн |
| 1000+ | 48.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830PBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRF830 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRF830PBF-BE3 за ціною від 47.15 грн до 129.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF830 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|