IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 3217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 73.74 грн |
| 50+ | 57.06 грн |
| 100+ | 45.21 грн |
| 500+ | 35.96 грн |
| 1000+ | 35.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRF830 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRF830PBF-BE3 за ціною від 39.81 грн до 119.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 5683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF830PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF830 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товар відсутній |