IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF830PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830PBF Код товару: 163342
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 20 шт
очікується: 200 шт
на замовлення: 5 шт
|
|
| IRF830PBF Код товару: 163342
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 22.26 грн до 177.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF830PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF830 | JSMicro Semiconductor |
 Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 16416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF830PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 16430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF830PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 11303 шт: термін постачання 141-150 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
IRF830PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 4411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 110.33 грн |
| 131+ | 108.41 грн |
| 156+ | 90.51 грн |
| 500+ | 83.85 грн |
| 1000+ | 71.48 грн |
| IRF830 |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 22.26 грн |
| IRF830 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 35.61 грн |
| IRF830 |
|
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 35.61 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 144+ | 98.13 грн |
| 146+ | 97.16 грн |
| 147+ | 96.17 грн |
| 172+ | 79.34 грн |
| 500+ | 60.78 грн |
| 1000+ | 46.93 грн |
| 2500+ | 46.46 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 123.98 грн |
| 10+ | 62.98 грн |
| 30+ | 48.42 грн |
| 50+ | 43.93 грн |
| 100+ | 39.45 грн |
| 150+ | 37.59 грн |
| 250+ | 35.72 грн |
| 500+ | 33.86 грн |
| 1000+ | 33.01 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 163.86 грн |
| 10+ | 96.86 грн |
| 25+ | 95.91 грн |
| 50+ | 91.55 грн |
| 100+ | 73.61 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 163.86 грн |
| 146+ | 96.86 грн |
| 148+ | 95.91 грн |
| 149+ | 91.55 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 177.81 грн |
| 10+ | 97.82 грн |
| 25+ | 96.86 грн |
| 50+ | 92.44 грн |
| 100+ | 73.23 грн |
| 500+ | 58.17 грн |
| 1000+ | 46.79 грн |
| 2500+ | 46.32 грн |
| IRF830PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 11303 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
| IRF830PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)