IRF830PBF Siliconix
Код товару: 163342
Виробник: SiliconixКорпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності 61 шт:
30 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 26.00 грн |
| 10+ | 23.40 грн |
| 100+ | 20.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 12.90 грн до 151.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 226000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 226000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 3878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF830 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF830 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF830PBF Код товару: 17846
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
| IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF - MOSFET, N-KANAL, 500V, 4.5A, TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF830PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB |
на замовлення 105 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| RL207 Код товару: 86452
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-15
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-15
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
у наявності: 6704 шт
6473 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 1.50 грн |
| 56+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| HEF4093BT.653 Код товару: 37346
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 462 шт
415 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 11.00 грн |
| 10+ | 9.90 грн |
| 100+ | 8.90 грн |
| Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g Код товару: 99859
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 16 g
Діаметр: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 16 g
Діаметр: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
у наявності: 36 шт
16 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
3690 шт
90 шт - очікується
1800 шт - очікується 25.03.2026
1800 шт - очікується 05.04.2026
1800 шт - очікується 25.03.2026
1800 шт - очікується 05.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 90.00 грн |
| 10+ | 82.00 грн |
| 100+ | 76.00 грн |
| 47uF 400V EXR 16x31,5mm (low imp.) (EXR470M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 17671
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 16х31,5mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 16х31,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 2024 шт
1946 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| HEF40106BT Код товару: 19222
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: 6 тригерів Шмідта ТЛ2 -40/+ 85 3-15V
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...15 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: 6 тригерів Шмідта ТЛ2 -40/+ 85 3-15V
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...15 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 19 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |









