на замовлення 6295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 194+ | 63.83 грн |
| 209+ | 59.48 грн |
| 1000+ | 49.83 грн |
| 2000+ | 47.57 грн |
| 5000+ | 43.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRF830PBF Vishay
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830PBF Код товару: 163342
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 101 шт
55 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 12.90 грн до 110.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 7508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF830PBF Код товару: 17846
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
IRF830PBF Код товару: 163342
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 101 шт
55 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 6295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF830 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF830 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF830PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB |
на замовлення 105 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |







