Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF830PBF
IRF830PBF

IRF830PBF

IRF830.pdf
Код товару: 17846
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF830PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irl620.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 20.09.2026
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 20.09.2026
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 22.21 грн до 238.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.68 грн
171+82.40 грн
176+80.30 грн
500+71.09 грн
1000+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.40 грн
10+149.07 грн
50+114.59 грн
100+97.11 грн
500+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 JSMicro Semiconductor info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Siliconix info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Vishay info-tirf830.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.63 грн
173+81.85 грн
500+67.72 грн
1000+58.66 грн
2000+47.78 грн
5000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.69 грн
10+57.94 грн
30+50.09 грн
50+47.30 грн
100+45.53 грн
150+44.26 грн
500+40.63 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.19 грн
10+92.90 грн
100+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.19 грн
152+92.90 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.48 грн
10+97.08 грн
100+81.39 грн
500+64.93 грн
1000+54.00 грн
2000+45.60 грн
5000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
165+85.68 грн
171+82.40 грн
176+80.30 грн
500+71.09 грн
1000+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.40 грн
10+149.07 грн
50+114.59 грн
100+97.11 грн
500+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 description info-tirf830.pdf
IRF830
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF830; IRF830; IRF830-BE3; IRF840A; IRF840A-BE3; IRF840BPB-BE3; IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+97.63 грн
173+81.85 грн
500+67.72 грн
1000+58.66 грн
2000+47.78 грн
5000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.69 грн
10+57.94 грн
30+50.09 грн
50+47.30 грн
100+45.53 грн
150+44.26 грн
500+40.63 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+157.19 грн
10+92.90 грн
100+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+157.19 грн
152+92.90 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF 91063.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.48 грн
10+97.08 грн
100+81.39 грн
500+64.93 грн
1000+54.00 грн
2000+45.60 грн
5000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irl620.pdf
IRF830PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.