Продукція > VISHAY > IRF830PBF
IRF830PBF

IRF830PBF Vishay

91063.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.61 грн
10+90.69 грн
25+60.81 грн
100+56.92 грн
500+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Можливі заміни IRF830PBF Vishay

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 163342
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix irl620.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 12.90 грн до 106.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.98 грн
10+101.81 грн
25+59.21 грн
100+58.05 грн
250+57.55 грн
500+49.85 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.64 грн
10+94.43 грн
100+65.77 грн
500+53.22 грн
1000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR IRF830.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 163342
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix irl620.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
50+57.89 грн
100+56.26 грн
500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+95.88 грн
186+65.49 грн
192+63.67 грн
500+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.56 грн
139+87.64 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 Виробник : JSMicro Semiconductor IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 Виробник : Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF Виробник : Vishay irl620.pdf MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF Виробник : Vishay/IR irl620.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay / Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001546-1204733.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics IRF830.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics 562cd00001546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay sihf830.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Infineon Technologies 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Infineon Technologies irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : onsemi / Fairchild IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.