IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF830PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830PBF Код товару: 163342
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 37 шт
4 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ 22 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 22.35 грн до 176.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : Vishay |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 6290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 6290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRF830PBF |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRF830 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRF830 | Виробник : STM |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.35Ом, 100Вт, TO-220 (PowerMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRF830 |
N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
IRF830 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
товару немає в наявності |





