Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF830PBF Siliconix
IRF830PBF

IRF830PBF Siliconix

irl620.pdf
Код товару: 163342
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності 101 шт:
55 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.00 грн
10+23.40 грн
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 12.90 грн до 179.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+66.79 грн
216+57.58 грн
2000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D8547F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf830.pdf?ci_sign=4ee7c25539855d8a94e92e5f2f2950811f41b112 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.63 грн
10+47.16 грн
50+40.12 грн
100+38.68 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay Semiconductors irl620.pdf MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.37 грн
10+66.44 грн
500+53.40 грн
1000+51.64 грн
2000+46.50 грн
10000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+105.66 грн
10+71.67 грн
100+61.78 грн
2000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019267810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.90 грн
13+68.69 грн
100+68.34 грн
500+59.95 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.28 грн
50+84.42 грн
100+75.86 грн
500+57.11 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 Виробник : JSMicro Semiconductor IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830; IRF830-BE3; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 Виробник : Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF Виробник : Vishay/IR irl620.pdf N-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR IRF830.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001546.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay / Siliconix IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics IRF830.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Infineon Technologies irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : STMicroelectronics 562cd00001546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : Vishay sihf830.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Infineon Technologies 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF Виробник : Vishay 91063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830 IRF830 Виробник : onsemi / Fairchild IRF830.pdf irl620.pdf HRISD017-4-361.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HEF40106BT
Код товару: 19222
Додати до обраних Обраний товар

HEF40106B-86738.pdf
HEF40106BT
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: 6 тригерів Шмідта ТЛ2 -40/+ 85 3-15V
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...15 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 166 шт
35 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
72 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4093BT.653
Код товару: 37346
Додати до обраних Обраний товар

hef4093b-353176.pdf
HEF4093BT.653
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 207 шт
150 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
Додати до обраних Обраний товар

1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 85608 шт
74514 шт - склад
1839 шт - РАДІОМАГ-Київ
5884 шт - РАДІОМАГ-Львів
1397 шт - РАДІОМАГ-Харків
1974 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
40+1.00 грн
50+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RL207
Код товару: 86452
Додати до обраних Обраний товар

RL201-207%20N0559%20REV.A.pdf
RL207
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-15
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 2 A
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1 V
у наявності: 3722 шт
3453 шт - склад
140 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується
Кількість Ціна
27+1.50 грн
45+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
KBP210 (діодний міст)
Код товару: 172118
Додати до обраних Обраний товар

KBP210.pdf
KBP210 (діодний міст)
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBP
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KPB210G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP154G, KBP155G, KBP156G, KBP157G, KBP101G, KBP102G, KBP103G, KBP104G, KBP105G, KBP106G, KBP107G, KBP005G, KBP01G,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 60 A
у наявності: 1759 шт
1651 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
33 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
10+4.00 грн
12+3.60 грн
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.