Продукція > VISHAY > IRF830SPBF
IRF830SPBF

IRF830SPBF Vishay

sihf830s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF830SPBF за ціною від 12.11 грн до 91.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+49.67 грн
252+49.19 грн
255+48.68 грн
257+46.48 грн
260+42.60 грн
500+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.04 грн
14+52.89 грн
25+52.37 грн
50+49.99 грн
100+45.82 грн
250+43.54 грн
500+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+55.71 грн
230+53.84 грн
233+53.31 грн
235+50.88 грн
237+46.64 грн
250+44.33 грн
500+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.69 грн
13+57.69 грн
25+57.11 грн
50+54.52 грн
100+49.98 грн
250+47.50 грн
500+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.68 грн
59+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.37 грн
10+65.89 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.23 грн
50+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.46 грн
11+79.77 грн
100+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF Виробник : Vishay/IR sihf830s.pdf TO-263
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3AF710ADF00C7&compId=irf830s.pdf?ci_sign=09012463a4f66e9f98d1e6d4aa70ec4c166b14ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.