Продукція > VISHAY > IRF830SPBF
IRF830SPBF

IRF830SPBF Vishay

sihf830s.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції IRF830SPBF за ціною від 58.43 грн до 302.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.70 грн
12+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.55 грн
142+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.88 грн
10+103.61 грн
100+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.44 грн
10+100.51 грн
100+63.01 грн
500+58.64 грн
5000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.40 грн
50+107.56 грн
100+97.06 грн
500+73.79 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.29 грн
10+126.86 грн
100+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf TO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
210+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+69.70 грн
12+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
112+126.55 грн
142+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF830SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+194.88 грн
10+103.61 грн
100+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.44 грн
10+100.51 грн
100+63.01 грн
500+58.64 грн
5000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.40 грн
50+107.56 грн
100+97.06 грн
500+73.79 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+302.29 грн
10+126.86 грн
100+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
IRF830SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF sihf830s.pdf
TO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.