на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 32.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF830SPBF за ціною від 12.49 грн до 331.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF830SPBF | Виробник : Vishay/IR |
TO-263 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRF830SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |