Продукція > VISHAY > IRF830SPBF
IRF830SPBF

IRF830SPBF Vishay

sihf830s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF830SPBF за ціною від 11.91 грн до 100.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.48 грн
290+42.07 грн
293+41.64 грн
296+39.74 грн
299+36.44 грн
500+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.58 грн
213+57.38 грн
215+56.81 грн
217+54.23 грн
219+49.71 грн
250+47.25 грн
500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.62 грн
59+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+63.83 грн
12+61.48 грн
25+60.87 грн
50+58.11 грн
100+53.26 грн
250+50.62 грн
500+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
50+66.29 грн
100+66.19 грн
500+61.65 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.16 грн
10+73.83 грн
100+61.62 грн
500+58.66 грн
1000+58.28 грн
5000+57.90 грн
10000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.35 грн
11+78.67 грн
100+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.58 грн
10+91.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF Виробник : Vishay/IR sihf830s.pdf TO-263
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3AF710ADF00C7&compId=irf830s.pdf?ci_sign=09012463a4f66e9f98d1e6d4aa70ec4c166b14ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3AF710ADF00C7&compId=irf830s.pdf?ci_sign=09012463a4f66e9f98d1e6d4aa70ec4c166b14ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.