Продукція > VISHAY > IRF830SPBF
IRF830SPBF

IRF830SPBF Vishay

sihf830s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRF830SPBF за ціною від 12.61 грн до 150.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.27 грн
46+13.22 грн
47+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.42 грн
10+76.73 грн
25+75.97 грн
50+73.01 грн
100+66.96 грн
250+63.63 грн
500+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+91.99 грн
148+82.64 грн
149+81.81 грн
150+78.62 грн
151+72.11 грн
250+68.53 грн
500+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+92.97 грн
133+91.73 грн
134+87.61 грн
250+80.30 грн
500+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+95.71 грн
10+85.98 грн
25+85.11 грн
50+81.80 грн
100+75.03 грн
250+71.30 грн
500+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.12 грн
50+76.27 грн
100+75.24 грн
500+64.25 грн
1000+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.97 грн
10+111.52 грн
100+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.70 грн
10+103.48 грн
100+82.73 грн
500+66.33 грн
1000+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY irf830s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBF IRF830SPBF Виробник : VISHAY irf830s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.