
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.42 грн |
10+ | 131.82 грн |
100+ | 89.15 грн |
500+ | 80.16 грн |
800+ | 63.75 грн |
2400+ | 61.81 грн |
9600+ | 61.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830STRLPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF830STRLPBF за ціною від 93.71 грн до 216.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRF830STRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |