IRF830STRLPBF

IRF830STRLPBF Vishay Siliconix


sihf830s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.04 грн
10+122.24 грн
100+94.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF830STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF830STRLPBF за ціною від 63.12 грн до 189.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf830s.pdf MOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.23 грн
10+135.88 грн
100+93.21 грн
500+72.51 грн
800+66.86 грн
4800+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : Vishay sihf830s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : VISHAY irf830s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Виробник : VISHAY irf830s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.