Продукція > VISHAY > IRF840ALPBF
IRF840ALPBF

IRF840ALPBF Vishay

doc91066.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+193.48 грн
10+141.64 грн
25+140.22 грн
50+130.91 грн
100+114.96 грн
500+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840ALPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

Інші пропозиції IRF840ALPBF за ціною від 96.08 грн до 303.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+194.31 грн
103+142.24 грн
104+140.82 грн
108+131.47 грн
114+115.45 грн
500+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.46 грн
10+178.80 грн
50+138.31 грн
100+117.55 грн
500+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+303.93 грн
10+151.95 грн
100+120.12 грн
500+98.35 грн
1000+97.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF doc91066.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+194.31 грн
103+142.24 грн
104+140.82 грн
108+131.47 грн
114+115.45 грн
500+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.46 грн
10+178.80 грн
50+138.31 грн
100+117.55 грн
500+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.93 грн
10+151.95 грн
100+120.12 грн
500+98.35 грн
1000+97.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.