на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 124.18 грн |
| 10+ | 122.34 грн |
| 25+ | 108.64 грн |
| 100+ | 103.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840ALPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRF840ALPBF за ціною від 93.21 грн до 250.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF840ALPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF840ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF840ALPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF840ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 7530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF840ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF840ALPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF840ALPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF840ALPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |