Продукція > VISHAY > IRF840ALPBF

IRF840ALPBF Vishay


doc91066.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+135.00 грн
10+115.87 грн
100+115.38 грн
500+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840ALPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

Інші пропозиції IRF840ALPBF за ціною від 86.59 грн до 282.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.44 грн
122+116.24 грн
123+115.75 грн
500+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.95 грн
10+101.83 грн
100+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.02 грн
50+132.43 грн
100+119.93 грн
500+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+141.33 грн
100+111.72 грн
500+91.47 грн
1000+90.78 грн
2000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF doc91066.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
105+135.44 грн
122+116.24 грн
123+115.75 грн
500+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+263.95 грн
10+101.83 грн
100+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+271.02 грн
50+132.43 грн
100+119.93 грн
500+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+282.69 грн
10+141.33 грн
100+111.72 грн
500+91.47 грн
1000+90.78 грн
2000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.