
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
93+ | 132.08 грн |
96+ | 127.05 грн |
100+ | 122.74 грн |
250+ | 114.76 грн |
500+ | 103.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840APBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB, tariffCode: 85364900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IRF840A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRF840APBF-BE3 за ціною від 79.26 грн до 183.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 11542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRF840APBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |