IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 38.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) за ціною від 73.14 грн до 351.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF840APBF |
TO-220AB Транзистори |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 190.53 грн |
| 10+ | 109.20 грн |
| 50+ | 96.50 грн |
| 100+ | 89.73 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.27 грн |
| 10+ | 123.74 грн |
| 100+ | 75.95 грн |
| 500+ | 75.25 грн |
| 5000+ | 73.14 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 206.79 грн |
| 99+ | 143.57 грн |
| 109+ | 130.39 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.41 грн |
| 50+ | 130.05 грн |
| 100+ | 117.73 грн |
| 500+ | 90.21 грн |
| 1000+ | 83.70 грн |
| 2000+ | 78.22 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 278.14 грн |
| 10+ | 140.30 грн |
| 100+ | 107.48 грн |
| 500+ | 76.19 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 296.58 грн |
| 50+ | 168.69 грн |
| 100+ | 153.34 грн |
| 500+ | 122.42 грн |
| 1000+ | 104.96 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 296.58 грн |
| 84+ | 168.69 грн |
| 100+ | 153.34 грн |
| 500+ | 122.42 грн |
| 1000+ | 104.96 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 351.10 грн |
| 78+ | 183.13 грн |
| 100+ | 164.82 грн |
| 500+ | 129.38 грн |
| 1000+ | 110.27 грн |
| 2000+ | 98.11 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 351.99 грн |
| 50+ | 183.59 грн |
| 100+ | 165.24 грн |
| 500+ | 129.71 грн |
| 1000+ | 110.55 грн |
| 2000+ | 98.36 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
TO-220AB Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.24 грн |
З цим товаром купують
| TLP627 Код товару: 31733
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: China
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
у наявності: 1854 шт
1696 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123704
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
у наявності: 867 шт
704 шт - склад
95 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
95 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| STP10NK60Z Код товару: 14727
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.90 грн |
| 1N5363B Код товару: 14743
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-201
Напруга стабілізації, Vz: 30 V
Струм стабілізації, Izt: 40mA
Потужність, Pd: 5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-201
Напруга стабілізації, Vz: 30 V
Струм стабілізації, Izt: 40mA
Потужність, Pd: 5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 1260 шт
851 шт - склад
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
48 шт - РАДІОМАГ-Харків
205 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
48 шт - РАДІОМАГ-Харків
205 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| BZX85-C9V1 Код товару: 18217
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 25mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 25mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 889 шт
641 шт - склад
65 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
131 шт - РАДІОМАГ-Харків
65 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
131 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.15 грн |












