IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
3
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 197 шт
- 163 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 38.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) за ціною від 54.47 грн до 266.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 11583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 11589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 4212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF840APBF |
TO-220AB Транзистори |
на замовлення 30 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 145.76 грн |
| 10+ | 118.02 грн |
| 17+ | 57.77 грн |
| 45+ | 54.47 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 162.72 грн |
| 89+ | 161.09 грн |
| 114+ | 125.79 грн |
| 500+ | 118.06 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 186.26 грн |
| 10+ | 143.60 грн |
| 50+ | 142.16 грн |
| 100+ | 107.04 грн |
| 500+ | 96.47 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 186.26 грн |
| 100+ | 143.60 грн |
| 101+ | 142.16 грн |
| 129+ | 107.04 грн |
| 500+ | 96.47 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 209.71 грн |
| 10+ | 161.68 грн |
| 50+ | 160.05 грн |
| 100+ | 120.52 грн |
| 500+ | 108.62 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 256.90 грн |
| 77+ | 185.35 грн |
| 100+ | 167.79 грн |
| 250+ | 146.91 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.88 грн |
| 10+ | 168.16 грн |
| 50+ | 129.95 грн |
| 100+ | 110.39 грн |
| 500+ | 90.13 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840APBF |
![]() |
TO-220AB Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 133.79 грн |
З цим товаром купують
| TLP627 Код товару: 31733
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: China
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/150 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 300 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/150 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 300 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 28.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123704
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 мкГн
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 мм; h=12 мм
Робочий струм, А: 1 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 мкГн
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 мм; h=12 мм
Робочий струм, А: 1 А
у наявності: 803 шт
- 662 шт - склад
- 75 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| BZX85-C9V1 Код товару: 18217
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 9,1 В
Струм стабілізації Izt, мА: 25 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 9,1 В
Струм стабілізації Izt, мА: 25 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 868 шт
- 638 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 131 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.15 грн |
| UF5408 Код товару: 27170
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 3 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 3 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Монтаж: THT
у наявності: 688 шт
- 254 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 202 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 115 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
на замовлення: 200 шт
- 200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| 10uF 450V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR100M2WB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 38810
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 450 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -25...+105°С
Габарити: 13x26 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 450 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -25...+105°С
Габарити: 13x26 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 130 шт
- 27 шт - склад
- 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 28 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується
на замовлення: 48 шт
- 48 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10.50 грн |
| 10+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 1000+ | 7.70 грн |















