IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)

IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)


Код товару: 35892
Виробник: Vishay
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності 642 шт:

450 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
65 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
10+ 43.5 грн
100+ 38.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) за ціною від 43.49 грн до 154.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.74 грн
10+ 95.58 грн
100+ 65.96 грн
250+ 61.34 грн
500+ 55.93 грн
1000+ 49.67 грн
2000+ 49.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 8803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.73 грн
50+ 94.98 грн
100+ 78.15 грн
500+ 62.06 грн
1000+ 52.65 грн
2000+ 50.02 грн
5000+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.75 грн
10+ 98.25 грн
17+ 48.1 грн
46+ 45.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+147.99 грн
10+ 105.81 грн
100+ 86.57 грн
500+ 68.5 грн
1000+ 50.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 968 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.5 грн
10+ 122.44 грн
17+ 57.72 грн
46+ 54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF840APBF Виробник : Vishay 91065.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.19 грн
10+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF840APBF Виробник : Vishay/IR 91065.pdf TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF840APBF IRF840APBF
Код товару: 53900
Виробник : Vishay 91065.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840APBF IRF840APBF Виробник : Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній

З цим товаром купують

TLP627
Код товару: 31733
description tlp627_en_datasheet.pdf
TLP627
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
у наявності: 624 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12.2 грн
PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS)
Код товару: 72296
20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS)
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
у наявності: 264 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.2 грн
1000+ 3.6 грн
PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (гнізда на плату, 1х40, 2,54мм)
Код товару: 11339
PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (гнізда на плату, 1х40, 2,54мм)
Виробник: CviLux / Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, Gold Flash
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
товар відсутній
HER106
Код товару: 111035
у наявності: 303 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3132
ECR_081225.pdf
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1125 шт
очікується: 1000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 2