Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > IRF840ASPBF (біполярний транзистор NPN)

IRF840ASPBF (біполярний транзистор NPN)

Код товару: 43368
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF840ASPBF (біполярний транзистор NPN) за ціною від 64.13 грн до 303.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.63 грн
100+143.91 грн
500+89.51 грн
1000+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.51 грн
5+141.26 грн
10+125.48 грн
50+96.39 грн
100+88.08 грн
250+81.43 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.56 грн
82+174.64 грн
100+160.08 грн
250+141.61 грн
500+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.04 грн
10+121.47 грн
100+88.36 грн
500+74.56 грн
1000+68.27 грн
2000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
50+143.29 грн
100+129.96 грн
500+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.92 грн
10+156.78 грн
100+144.05 грн
500+86.39 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.63 грн
10+154.64 грн
100+122.42 грн
500+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+156.63 грн
100+143.91 грн
500+89.51 грн
1000+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.51 грн
5+141.26 грн
10+125.48 грн
50+96.39 грн
100+88.08 грн
250+81.43 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+227.56 грн
82+174.64 грн
100+160.08 грн
250+141.61 грн
500+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.04 грн
10+121.47 грн
100+88.36 грн
500+74.56 грн
1000+68.27 грн
2000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.24 грн
50+143.29 грн
100+129.96 грн
500+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+292.92 грн
10+156.78 грн
100+144.05 грн
500+86.39 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+303.63 грн
10+154.64 грн
100+122.42 грн
500+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.