Продукція > VISHAY > IRF840ASPBF
IRF840ASPBF

IRF840ASPBF Vishay

sihf840a.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840ASPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRF840ASPBF за ціною від 57.34 грн до 182.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.03 грн
155+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
50+94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+132.47 грн
600+121.04 грн
900+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.84 грн
10+129.98 грн
25+97.61 грн
100+91.00 грн
500+85.13 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.31 грн
10+82.56 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+161.18 грн
50+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.36 грн
10+110.32 грн
100+107.03 грн
500+96.33 грн
1000+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.77 грн
10+102.89 грн
15+73.39 грн
41+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 43368
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.