на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.55 грн |
| 10+ | 77.98 грн |
| 100+ | 60.57 грн |
| 500+ | 52.72 грн |
| 1000+ | 42.89 грн |
| 2500+ | 40.38 грн |
| 5000+ | 38.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840BPBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IRF840BPBF-BE3 за ціною від 137.63 грн до 137.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF840BPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF840BPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRF840BPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товару немає в наявності |