IRF840BPBF


irf840b.pdf
Код товару: 105114
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF840BPBF за ціною від 13.48 грн до 158.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.77 грн
56+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.01 грн
12+71.46 грн
100+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.24 грн
50+70.69 грн
100+63.31 грн
500+47.28 грн
1000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Semiconductors irf840b.pdf MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.70 грн
10+75.95 грн
100+58.64 грн
500+46.73 грн
1000+42.78 грн
2000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+13.77 грн
56+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+148.01 грн
12+71.46 грн
100+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.24 грн
50+70.69 грн
100+63.31 грн
500+47.28 грн
1000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.70 грн
10+75.95 грн
100+58.64 грн
500+46.73 грн
1000+42.78 грн
2000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.