на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
189+ | 60.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840BPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IRF840BPBF за ціною від 34.33 грн до 121.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF840BPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V |
на замовлення 5713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840BPBF Код товару: 105114 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF840BPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |