Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF840PBF-BE3
IRF840PBF-BE3

IRF840PBF-BE3 Vishay Siliconix

91070.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.47 грн
10+99.62 грн
100+80.40 грн
500+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF840PBF-BE3 за ціною від 54.96 грн до 154.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+144.79 грн
113+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.55 грн
10+125.44 грн
25+118.84 грн
50+104.99 грн
100+94.08 грн
500+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix 91070.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.49 грн
10+113.37 грн
25+94.90 грн
100+77.98 грн
500+65.62 грн
1000+57.90 грн
2000+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay mcbi_nods.pdf Transistor, 0.850 Ohm MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.