IRF840PBF Siliconix
Код товару: 182602
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 8 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.50 грн |
| 100+ | 27.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF840PBF Siliconix
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840PBF Код товару: 221455
Додати до обраних
Обраний товар
|
vishay |
Транзистори > IGBTКорпус: TO-220AB Напруга колектор-емітер Vces, V: 500 V Напруга насичення Vce, V: 8 A Струм колектора Ic при 25°C, A: 0,85 Ohm Струм колектора Ic при 100°C, A: 1300/63 Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: THT |
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF840PBF Код товару: 221455
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: vishay
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, V: 500 V
Напруга насичення Vce, V: 8 A
Струм колектора Ic при 25°C, A: 0,85 Ohm
Струм колектора Ic при 100°C, A: 1300/63
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: THT
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, V: 500 V
Напруга насичення Vce, V: 8 A
Струм колектора Ic при 25°C, A: 0,85 Ohm
Струм колектора Ic при 100°C, A: 1300/63
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується 25.07.2026
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 48.95 грн до 304.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 486000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 8733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF840PBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF840PBF |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 8369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.04 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 87.54 грн |
| 5000+ | 86.67 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 87.54 грн |
| 5000+ | 86.67 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 162.73 грн |
| 116+ | 123.04 грн |
| 122+ | 116.42 грн |
| 250+ | 103.34 грн |
| 500+ | 89.78 грн |
| 1000+ | 80.51 грн |
| 2000+ | 75.98 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 191.68 грн |
| 10+ | 114.37 грн |
| 100+ | 86.98 грн |
| 500+ | 68.88 грн |
| 1000+ | 55.92 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 8733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.44 грн |
| 50+ | 149.98 грн |
| 100+ | 136.14 грн |
| 500+ | 105.03 грн |
| 1000+ | 97.72 грн |
| 2000+ | 91.59 грн |
| 5000+ | 87.55 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 84.52 грн |
| 100+ | 72.45 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.13 грн |
| 5+ | 102.21 грн |
| 10+ | 89.74 грн |
| 50+ | 68.14 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 250+ | 59.00 грн |
| 500+ | 55.67 грн |
| 1000+ | 51.52 грн |
| 2000+ | 49.03 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.21 грн |
| 10+ | 100.03 грн |
| 100+ | 71.80 грн |
| 500+ | 61.16 грн |
| 1000+ | 56.40 грн |
| 2000+ | 52.81 грн |
| 5000+ | 48.95 грн |
З цим товаром купують
| TLP627 Код товару: 31733
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: China
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, kV: 5 kV
Струм вх/вих Iвх/Iвих, mA: 60/150 mA
Вихідна напруга Uвих, V: 300 V
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, kV: 5 kV
Струм вх/вих Iвх/Iвих, mA: 60/150 mA
Вихідна напруга Uвих, V: 300 V
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: -
Робоча температура, °С: -
Кількість каналів: 1
у наявності: 1760 шт
- 1622 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123704
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
у наявності: 827 шт
- 674 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| BYV26C Код товару: 4089
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, V: 600 V
Середній струм Iav, A: 1 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 30 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, V: 600 V
Середній струм Iav, A: 1 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 30 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| 4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3132
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін. напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°C
Габарити: 10x13 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін. напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -25...+85°C
Габарити: 10x13 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1237 шт
- 888 шт - склад
- 68 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 85 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 96 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |












