Продукція > Транзистори > IGBT > IRF840PBF vishay
IRF840PBF

IRF840PBF vishay

IRF840PBF.pdf
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: vishay
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 27.20 грн до 308.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.78 грн
5+101.30 грн
10+88.95 грн
50+67.53 грн
100+63.42 грн
250+58.47 грн
500+55.18 грн
1000+51.06 грн
2000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.59 грн
116+121.95 грн
122+115.39 грн
250+102.42 грн
500+88.98 грн
1000+79.80 грн
2000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.66 грн
50+152.08 грн
100+138.05 грн
500+106.50 грн
1000+99.09 грн
2000+92.87 грн
5000+88.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay Semiconductors irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Vishay/IR IRF840_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+84.52 грн
100+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.76 грн
5000+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.78 грн
5+101.30 грн
10+88.95 грн
50+67.53 грн
100+63.42 грн
250+58.47 грн
500+55.18 грн
1000+51.06 грн
2000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+162.59 грн
116+121.95 грн
122+115.39 грн
250+102.42 грн
500+88.98 грн
1000+79.80 грн
2000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+308.66 грн
50+152.08 грн
100+138.05 грн
500+106.50 грн
1000+99.09 грн
2000+92.87 грн
5000+88.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF VISH-S-A0019267818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840_Vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+84.52 грн
100+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.