Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF840STRRPBF
IRF840STRRPBF

IRF840STRRPBF Vishay Siliconix

sihf840s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.19 грн
10+156.03 грн
100+108.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840STRRPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF840STRRPBF за ціною від 83.87 грн до 260.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf840s.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.06 грн
10+185.28 грн
100+113.30 грн
500+88.28 грн
800+87.55 грн
2400+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF Виробник : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF Виробник : Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF Виробник : VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf840s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF Виробник : VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.