Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8736TRPBF
IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

irf8736pbf.pdf
Код товару: 25137
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 24 шт:
19 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 20.06.2026
Кількість Ціна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF8736TRPBF за ціною від 17.16 грн до 95.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.88 грн
8000+18.60 грн
12000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.23 грн
242+58.45 грн
337+41.97 грн
500+32.77 грн
1000+26.66 грн
2000+23.14 грн
4000+19.65 грн
8000+19.46 грн
12000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 18565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.82 грн
10+52.64 грн
100+34.41 грн
500+24.93 грн
1000+22.55 грн
2000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
на замовлення 32274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.25 грн
10+55.24 грн
100+31.58 грн
500+24.82 грн
1000+21.80 грн
2000+19.20 грн
4000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.17 грн
15+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.88 грн
8000+18.60 грн
12000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+86.23 грн
242+58.45 грн
337+41.97 грн
500+32.77 грн
1000+26.66 грн
2000+23.14 грн
4000+19.65 грн
8000+19.46 грн
12000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 18565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.82 грн
10+52.64 грн
100+34.41 грн
500+24.93 грн
1000+22.55 грн
2000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
на замовлення 32274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.25 грн
10+55.24 грн
100+31.58 грн
500+24.82 грн
1000+21.80 грн
2000+19.20 грн
4000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.17 грн
15+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

EL817S(C)
Код товару: 122670
Додати до обраних Обраний товар
el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Виробник: Everlight
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
у наявності: 1277 шт
772 шт - склад
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
241 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується 05.07.2026
Кількість Ціна
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17033
3 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
7 Додати до обраних Обраний товар
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7960 шт
6209 шт - склад
122 шт - РАДІОМАГ-Київ
334 шт - РАДІОМАГ-Львів
928 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMF05CT1G
Код товару: 28996
Додати до обраних Обраний товар
yt886b678bfirfbjfjy.pdf
SMF05CT1G
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SC-70-6
Пікова потужність: 100 W
Напруга пробою, Vbr: 6,2 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 5 V
Струм витоку, Irm: 0,07 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 482 шт
430 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
4 Додати до обраних Обраний товар
FD%2FFDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 63 шт
49 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.