IRF8736TRPBF
у наявності 323 шт:
273 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8736TRPBF за ціною від 13.89 грн до 75.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
на замовлення 7919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 18133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg |
на замовлення 41906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
на замовлення 7919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 83249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.9 грн |
IRF7416TRPBF Код товару: 25625 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 302 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |
IRF8788PBF Код товару: 32111 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34 грн |
10+ | 30.6 грн |
10nF 100V X7R 10% 0603 (GRM188R72A103KA01D – Murata) Код товару: 2363 |
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 1580 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.4 грн |
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3540 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 6995 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |