
IRF8736TRPBF
у наявності 61 шт:
35 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15.00 грн |
10+ | 13.50 грн |
100+ | 12.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8736TRPBF за ціною від 10.60 грн до 73.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 82016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V |
на замовлення 27693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF8736TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 23637 шт
22432 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
253 шт - РАДІОМАГ-Львів
111 шт - РАДІОМАГ-Харків
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 3.00 грн |
100+ | 2.90 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 89440 шт
80914 шт - склад
4070 шт - РАДІОМАГ-Київ
1075 шт - РАДІОМАГ-Львів
3360 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4070 шт - РАДІОМАГ-Київ
1075 шт - РАДІОМАГ-Львів
3360 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.90 грн |
1000+ | 0.70 грн |
10000+ | 0.45 грн |
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2210
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 19196 шт
4351 шт - склад
4050 шт - РАДІОМАГ-Київ
3200 шт - РАДІОМАГ-Львів
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
4300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2895 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4050 шт - РАДІОМАГ-Київ
3200 шт - РАДІОМАГ-Львів
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
4300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2895 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.20 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
10nF 100V X7R 10% 0603 (GRM188R72A103KA01D – Murata) Код товару: 2363
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 1330 шт
1330 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.50 грн |
1000+ | 0.40 грн |
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano) Код товару: 3427
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1491 шт
991 шт - склад
500 шт - РАДІОМАГ-Київ
500 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 2.30 грн |
100+ | 2.00 грн |
1000+ | 1.80 грн |