IRF8736TRPBF


irf8736pbf.pdf
Код товару: 25137
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0048 Ом
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 174 шт
  • 159 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF8736TRPBF за ціною від 26.79 грн до 118.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.92 грн
8000+27.79 грн
12000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.16 грн
12+64.43 грн
100+44.96 грн
500+34.68 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.16 грн
220+64.43 грн
315+44.96 грн
500+34.68 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 18496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.76 грн
100+48.59 грн
500+35.90 грн
1000+32.77 грн
2000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
на замовлення 71574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.92 грн
8000+27.79 грн
12000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+99.16 грн
12+64.43 грн
100+44.96 грн
500+34.68 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.16 грн
220+64.43 грн
315+44.96 грн
500+34.68 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 18496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.76 грн
100+48.59 грн
500+35.90 грн
1000+32.77 грн
2000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
на замовлення 71574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

EL817S(C)
Код товару: 122670
Додати до обраних Обраний товар
el817sc-datasheet.pdf
Виробник: Everlight
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -55…+110°С
у наявності: 3862 шт
  • 3362 шт - склад
  • 84 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 241 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17033
3 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 6,3 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
7 Додати до обраних Обраний товар
IRLML6402.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 7692 шт
  • 6099 шт - склад
  • 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 321 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 878 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 347 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF05CT1G
Код товару: 28996
Додати до обраних Обраний товар
yt886b678bfirfbjfjy.pdf
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SC-70-6
Пікова потужність, P, Вт: 100 Вт
Напруга пробою, Vbr: 6,2 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 5 В
Струм витоку, Irm: 0,07 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 482 шт
  • 430 шт - склад
  • 46 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
4 Додати до обраних Обраний товар
FD%2FFDS6679AZ.pdf
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0093 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
  • 4 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.