![FDS6679AZ FDS6679AZ](/img/so-8.jpg)
FDS6679AZ Fairchild
![FD%2FFDS6679AZ.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 34125
Виробник: FairchildКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 40 шт:
2 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 34.5 грн |
10+ | 31.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 22.61 грн до 82.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 76528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 14090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDS6679AZ | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SI4835DDY Код товару: 101041 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 36 грн |
Флюс для пайки алюмінію 25мл Код товару: 176725 |
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс активний
Опис: Флюс для пайки алюмінію, нержавіючих сталей, нікелю, міді та інших металів. Не потрібно промивки після пайки. За необхідності залишки флюсу можна стерти тканиною.
Вага/Об’єм/К-сть: 25 ml
Категорія: Флюс активний
Опис: Флюс для пайки алюмінію, нержавіючих сталей, нікелю, міді та інших металів. Не потрібно промивки після пайки. За необхідності залишки флюсу можна стерти тканиною.
Вага/Об’єм/К-сть: 25 ml
товар відсутній
IRF7416TRPBF Код товару: 25625 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 178 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |
MCP6001T-I/OT Код товару: 25675 |
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5 V
BW,MHz: 1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): -4,5...+4,5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5 V
BW,MHz: 1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): -4,5...+4,5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12 грн |
IRLML9301TRPBF Код товару: 34218 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 6 грн |
11+ | 4.7 грн |
100+ | 3.8 грн |