Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6679AZ Fairchild
FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 159 шт:
138 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 23.31 грн до 117.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.01 грн
5000+25.49 грн
7500+25.23 грн
12500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.33 грн
5000+26.19 грн
7500+25.14 грн
12500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.25 грн
5000+27.45 грн
7500+27.18 грн
12500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.24 грн
17+37.19 грн
25+35.67 грн
100+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
698+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.39 грн
500+37.55 грн
1000+31.57 грн
5000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
On-state resistance: 14.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.87 грн
10+59.23 грн
26+37.15 грн
70+35.08 грн
500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 18817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.48 грн
10+63.62 грн
100+42.68 грн
500+32.50 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi / Fairchild fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.93 грн
10+69.27 грн
100+40.79 грн
500+33.44 грн
1000+30.69 грн
2500+26.48 грн
5000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.89 грн
13+70.66 грн
100+47.39 грн
500+37.55 грн
1000+31.57 грн
5000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
On-state resistance: 14.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.45 грн
10+73.81 грн
26+44.58 грн
70+42.09 грн
500+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ Виробник : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SI4835DDY
Код товару: 101041
Додати до обраних Обраний товар

SI4835DDY
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 26 шт
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+36.00 грн
10+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Додати до обраних Обраний товар

irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 204 шт
164 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
Додати до обраних Обраний товар

description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
Додати до обраних Обраний товар

irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2975 шт
2725 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
76 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
46 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.10 грн
100+4.50 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5666 шт
5388 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
147 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.