Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6679AZ Fairchild
FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 114 шт:
91 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
2+34.50 грн
10+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 23.05 грн до 114.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.16 грн
5000+26.04 грн
7500+25.00 грн
12500+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.36 грн
5000+27.60 грн
7500+27.33 грн
12500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.60 грн
5000+29.57 грн
7500+29.28 грн
12500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.18 грн
500+39.13 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+61.75 грн
202+61.69 грн
288+43.09 грн
290+41.34 грн
500+30.78 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.62 грн
10+60.10 грн
25+49.54 грн
50+42.68 грн
100+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.34 грн
10+74.90 грн
25+59.44 грн
50+51.21 грн
100+44.53 грн
500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+106.92 грн
11+66.16 грн
25+66.09 грн
100+44.52 грн
250+41.01 грн
500+31.66 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 27956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.91 грн
10+65.99 грн
100+43.91 грн
500+32.31 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6679AZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.95 грн
10+65.38 грн
100+40.89 грн
500+32.92 грн
1000+30.05 грн
2500+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.68 грн
50+68.03 грн
100+49.18 грн
500+39.13 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ Виробник : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SI4835DDY
Код товару: 101041
Додати до обраних Обраний товар

SI4835DDY
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+36.00 грн
10+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Додати до обраних Обраний товар

irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 268 шт
153 шт - склад
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
Додати до обраних Обраний товар

description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 126 шт
100 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
Додати до обраних Обраний товар

irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1675 шт
1394 шт - склад
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+6.00 грн
10+5.10 грн
100+4.50 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3832 шт
3642 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
68 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
2+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.