Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6679AZ Fairchild
FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 80 шт:
69 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 21.11 грн до 114.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.70 грн
5000+23.84 грн
7500+22.89 грн
12500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.92 грн
5000+30.25 грн
7500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.13 грн
5000+32.41 грн
7500+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.75 грн
3000+34.32 грн
5000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.88 грн
500+35.66 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+68.12 грн
192+66.77 грн
291+44.17 грн
294+42.17 грн
500+31.80 грн
1000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 23505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.33 грн
10+60.43 грн
100+40.22 грн
500+29.59 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : onsemi FDS6679AZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.00 грн
10+60.53 грн
100+37.16 грн
500+29.09 грн
1000+24.43 грн
2500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.60 грн
50+62.20 грн
100+44.88 грн
500+35.66 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ Виробник : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.27 грн
11+72.98 грн
25+71.54 грн
100+45.64 грн
250+41.84 грн
500+32.71 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ Виробник : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Додати до обраних Обраний товар

irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 428 шт
400 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1745 шт
1545 шт - склад
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
67 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
Додати до обраних Обраний товар

description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 3 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 150 шт
150 шт - очікується 23.04.2026
Кількість Ціна
1+26.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
Додати до обраних Обраний товар

irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 389 шт
65 шт - склад
126 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
184 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується 23.04.2026
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.10 грн
100+4.50 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MDU1517RH
Код товару: 197985
Додати до обраних Обраний товар

MDU1517.PDF
MDU1517RH
+1
Виробник: MAGNACHIP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PDFN-56
Uds,V: 30 V
Idd,A: 73 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2521/41
Примітка: Single N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
100 шт - очікується 30.04.2026
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.