FDS6679AZ Fairchild


FD%2FFDS6679AZ.pdf
Код товару: 34125
5 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0093 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 208 шт
  • 199 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 28.62 грн до 117.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.58 грн
16+49.57 грн
25+44.74 грн
100+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.93 грн
6+74.66 грн
10+64.33 грн
50+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.88 грн
10+71.54 грн
50+53.47 грн
100+44.68 грн
500+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ info-tfds6679az.pdf
Виробник: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.58 грн
16+49.57 грн
25+44.74 грн
100+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.93 грн
6+74.66 грн
10+64.33 грн
50+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.88 грн
10+71.54 грн
50+53.47 грн
100+44.68 грн
500+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ 2303867.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ 2303867.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
3 Додати до обраних Обраний товар
irf7416.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2580 шт
  • 2444 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41266
Додати до обраних Обраний товар
CDRH104R.pdf
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 0,92 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 661 шт
  • 602 шт - склад
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.50 грн
10+13.20 грн
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-270MC (27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41279
Додати до обраних Обраний товар
CDRH127LD.pdf
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 27 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 4,2 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 26 шт
  • 18 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 20.09.2026
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.50 грн
10+10.80 грн
100+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.