FDS6679AZ Fairchild
Код товару: 34125
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0093 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 208 шт
- 199 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 7 шт
- 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 34.50 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 28.62 грн до 117.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6679AZ | Fairchild |
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679azкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS6679AZ | onsemi |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6679AZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm |
на замовлення 16343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6679AZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS6679AZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm |
на замовлення 16343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS6679AZ |
![]() |
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 28.62 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.61 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.36 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.77 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.58 грн |
| 16+ | 49.57 грн |
| 25+ | 44.74 грн |
| 100+ | 40.97 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 103.93 грн |
| 6+ | 74.66 грн |
| 10+ | 64.33 грн |
| 50+ | 45.37 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.88 грн |
| 10+ | 71.54 грн |
| 50+ | 53.47 грн |
| 100+ | 44.68 грн |
| 500+ | 35.04 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 16343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF7416TRPBF Код товару: 25625
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2580 шт
- 2444 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 80 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| IRF7832TRPBF Код товару: 30646
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 0,92 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 0,92 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 661 шт
- 602 шт - склад
- 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.50 грн |
| 10+ | 13.20 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| CDRH127/LDNP-270MC (27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41279
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 27 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 4,2 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 27 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 4,2 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 26 шт
- 18 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується 20.09.2026
на замовлення: 10 шт
- 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 7.70 грн |











