FDS6679AZ Fairchild
Код товару: 34125
Виробник: FairchildКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності 125 шт:
99 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 34.50 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6679AZ за ціною від 20.13 грн до 113.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
на замовлення 28982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6679AZ | Виробник : Fairchild |
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679azкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDS6679AZ | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| SI4835DDY Код товару: 101041
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 36.00 грн |
| 10+ | 32.40 грн |
| IRF7416TRPBF Код товару: 25625
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 290 шт
223 шт - склад
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRF7832TRPBF Код товару: 30646
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 126 шт
100 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 26.50 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1755 шт
1469 шт - склад
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.10 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4217 шт
3962 шт - склад
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
186 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
186 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |








