Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRF9510PBF за ціною від 23.82 грн до 167.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 511 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET |
на замовлення 76503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 4526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 24.84 грн |
| 32+ | 24.01 грн |
| 100+ | 23.82 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 57.15 грн |
| 285+ | 49.88 грн |
| 500+ | 46.17 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.17 грн |
| 13+ | 32.86 грн |
| 50+ | 30.51 грн |
| 100+ | 29.42 грн |
| 250+ | 27.40 грн |
| 500+ | 26.06 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 65.25 грн |
| 302+ | 46.99 грн |
| 500+ | 40.78 грн |
| 1000+ | 35.72 грн |
| 2000+ | 32.75 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 137+ | 103.91 грн |
| 228+ | 62.18 грн |
| 309+ | 45.97 грн |
| 500+ | 38.81 грн |
| 1000+ | 32.83 грн |
| 2000+ | 31.20 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.98 грн |
| 16+ | 51.98 грн |
| 100+ | 35.19 грн |
| 500+ | 27.84 грн |
| 1000+ | 25.00 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
на замовлення 76503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.50 грн |
| 10+ | 65.37 грн |
| 100+ | 35.68 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| 1000+ | 28.98 грн |
| 2000+ | 26.39 грн |
| 5000+ | 23.95 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 117.30 грн |
| 12+ | 65.42 грн |
| 100+ | 47.12 грн |
| 500+ | 39.42 грн |
| 1000+ | 33.16 грн |
| 2000+ | 31.53 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.32 грн |
| 50+ | 78.61 грн |
| 100+ | 70.56 грн |
| 500+ | 52.97 грн |
| 1000+ | 48.71 грн |
| 2000+ | 45.13 грн |







