Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRF9510PBF за ціною від 29.29 грн до 171.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9510PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET |
на замовлення 76260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRF9510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 126 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 287+ | 49.32 грн |
| 354+ | 39.89 грн |
| 500+ | 36.18 грн |
| 1000+ | 33.41 грн |
| 2000+ | 30.90 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 64.65 грн |
| 16+ | 49.32 грн |
| 100+ | 39.89 грн |
| 500+ | 34.89 грн |
| 1000+ | 30.94 грн |
| 2000+ | 29.66 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 64.88 грн |
| 13+ | 32.72 грн |
| 50+ | 30.38 грн |
| 100+ | 29.29 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 204+ | 69.30 грн |
| 298+ | 47.44 грн |
| 500+ | 40.60 грн |
| 1000+ | 36.61 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 111.93 грн |
| 12+ | 65.31 грн |
| 100+ | 46.16 грн |
| 500+ | 38.48 грн |
| 1000+ | 33.49 грн |
| 2000+ | 32.05 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 128.52 грн |
| 11+ | 69.14 грн |
| 100+ | 47.33 грн |
| 500+ | 39.06 грн |
| 1000+ | 33.83 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.27 грн |
| 10+ | 106.11 грн |
| 50+ | 80.52 грн |
| 100+ | 67.83 грн |
| 500+ | 54.25 грн |
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
на замовлення 76260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9510PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9510PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)