на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 18.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9510PBF за ціною від 19.18 грн до 175.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9510PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 7966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -16A Drain current: -4A Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 43W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET |
на замовлення 78190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -16A Drain current: -4A Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 43W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9510PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9510PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|