IRF9510SPBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 163.59 грн |
| 10+ | 99.03 грн |
| 50+ | 79.73 грн |
| 100+ | 72.18 грн |
| 250+ | 63.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9510SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF9510SPBF за ціною від 57.31 грн до 200.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9510SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9510SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9510SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9510SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF9510SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |