Продукція > VISHAY > IRF9510SPBF
IRF9510SPBF

IRF9510SPBF VISHAY

IRF9510S.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.41 грн
10+109.27 грн
50+88.25 грн
100+80.69 грн
250+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9510SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції IRF9510SPBF за ціною від 50.38 грн до 207.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY VISH-S-A0013329315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.26 грн
10+98.57 грн
100+69.82 грн
500+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Vishay sihf9510.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.25 грн
98+145.53 грн
108+132.30 грн
250+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Vishay Siliconix sihf9510.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.96 грн
10+123.46 грн
100+84.91 грн
500+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Vishay Semiconductors sihf9510.pdf description MOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+125.27 грн
100+79.60 грн
500+64.24 грн
1000+58.52 грн
2000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description VISH-S-A0013329315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.26 грн
10+98.57 грн
100+69.82 грн
500+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description sihf9510.pdf
IRF9510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
79+181.25 грн
98+145.53 грн
108+132.30 грн
250+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description sihf9510.pdf
IRF9510SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+197.96 грн
10+123.46 грн
100+84.91 грн
500+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description sihf9510.pdf
IRF9510SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+207.74 грн
10+125.27 грн
100+79.60 грн
500+64.24 грн
1000+58.52 грн
2000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.