Продукція > VISHAY > IRF9520SPBF
IRF9520SPBF

IRF9520SPBF Vishay

sihf9520.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+107.35 грн
121+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9520SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9520SPBF за ціною від 59.11 грн до 190.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.03 грн
10+88.07 грн
50+76.28 грн
100+71.56 грн
250+66.05 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.64 грн
10+109.75 грн
50+91.53 грн
100+85.87 грн
250+79.26 грн
500+72.66 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.59 грн
50+92.36 грн
100+87.35 грн
500+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9520.pdf MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.14 грн
10+100.70 грн
100+84.55 грн
500+68.17 грн
1000+64.02 грн
2000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.07 грн
10+105.85 грн
100+104.16 грн
500+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.16 грн
10+114.17 грн
100+109.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Виробник : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.