на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 131.68 грн |
| 100+ | 126.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9520SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9520SPBF за ціною від 62.67 грн до 244.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |