IRF9520STRLPBF

IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix


sihf9520.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+77.79 грн
1600+ 63.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9520STRLPBF за ціною від 58.35 грн до 151.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.38 грн
10+ 111.2 грн
100+ 88.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9520.pdf MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.1 грн
10+ 124.38 грн
100+ 85.45 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.77 грн
800+ 59.88 грн
2400+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Виробник : VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній