IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.24 грн |
| 50+ | 56.41 грн |
| 100+ | 55.52 грн |
| 500+ | 49.78 грн |
| 1000+ | 46.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRF9530PBF-BE3 за ціною від 40.98 грн до 157.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9530PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF9530PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |