Інші пропозиції IRF9530PBF за ціною від 44.82 грн до 143.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -48A Drain current: -8.2A Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 88W Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9530PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -48A Drain current: -8.2A Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 88W Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
на замовлення 5316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
на замовлення 3433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF9530PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF9530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9530PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |