IRF9530STRRPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530STRRPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9530STRRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530STRRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF9530STRRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.3Ω Pulsed drain current: -48A Gate charge: 38nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IRF9530STRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9530STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Pulsed drain current: -48A
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Pulsed drain current: -48A
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9530STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.





